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DMN3009SFG-7-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有助于在大电流工作时有效抑制功率损耗和温升，提升系统能效。该器件适用于高效率电源转换、电池管理及大电流开关等应用场合，能够在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的电力控制与传输。
- 商品型号
- DMN3009SFG-7-HXY
- 商品编号
- C53262983
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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