DMN3009SFG-7-HXY

DMN3009SFG-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有助于在大电流工作时有效抑制功率损耗和温升，提升系统能效。该器件适用于高效率电源转换、电池管理及大电流开关等应用场合，能够在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的电力控制与传输。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN3009SFG-7-HXY

商品编号

C53262983

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.094克(g)