PXN4R7-30QLJ-HXY

PXN4R7-30QLJ-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。器件适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景，其低阻特性有助于减少发热并提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力与较低的导通压降，该MOSFET可有效支持高频率开关操作，在各类电子设备的功率转换与控制电路中发挥关键作用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PXN4R7-30QLJ-HXY

商品编号

C53262986

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)