AON7422G

AON7422G

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有效减小了导通损耗，有助于提升整体能效与热性能。适用于对电流承载能力和开关效率要求较高的场合，如电源管理模块、电机驱动电路及高频开关应用中的功率控制环节，能够支持稳定可靠的运行表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7422G

商品编号

C53262996

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)