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RQ3E180AJTB1-HXY
RQ3E180AJTB1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场景，可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子系统中的功率转换需求。
- 商品型号
- RQ3E180AJTB1-HXY
- 商品编号
- C53263016
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
参数完善中
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