温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS4C028NT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有90A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性与导通性能之间的平衡，适合在紧凑型电子系统中实现高效能量管理。
- 商品型号
- NTMFS4C028NT1G-HXY
- 商品编号
- C53263022
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- DMN39M1LFVW-7-HXY
- DMN39M1LK3-13-HXY
- DMT3009LFVWQ-7-HXY
- DMT3006LFV-13-HXY
- FDMS7680-HXY
- DMT3006LFVQ-7-HXY
- DMT3003LFG-7-HXY
- DMT3006LFG-7-HXY
- IPD040N03LGATMA1-HXY
- SQS482EN-T1_BE3-HXY
- NVTFS4C08NTWG-HXY
- STL66N3LLH5-HXY
- CSD17578Q5AT-HXY
- NVMFS4C308NT1G-HXY
- STL58N3LLH5-HXY
- RQ3E160ADTB1-HXY
- SI7386DP-T1-GE3-HXY
- RS1E281BNTB1-HXY
- RS1E301GNTB1-HXY
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NT1G-HXY