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SI7634BDP-T1-GE3-HXY
SI7634BDP-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。器件采用标准结构设计，适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景，如电源管理、电机驱动及各类高频转换电路。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，同时高电流承载能力确保在大负载条件下仍能稳定工作。
- 商品型号
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263042
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
参数完善中
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