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SI7634BDP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。器件采用标准结构设计，适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景，如电源管理、电机驱动及各类高频转换电路。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，同时高电流承载能力确保在大负载条件下仍能稳定工作。
- 商品型号
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263042
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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