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NTD4959NHT4G-HXY
N沟道 30V 60A
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）可达60A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为7毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于高效电源转换、大功率负载开关以及对能效和紧凑布局有较高要求的电子系统中，能够支持稳定的高频开关操作。
- 商品型号
- NTD4959NHT4G-HXY
- 商品编号
- C53263061
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394949克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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