STL12N3LLH5-HXY

STL12N3LLH5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件在高电流应用中表现出优异的导通性能与较低的功率损耗，适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及各类电子负载控制场景。其低导通电阻有助于减小系统整体能耗，提升运行稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL12N3LLH5-HXY

商品编号

C53263077

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.067克(g)