NTD4970NT4G-HXY

NTD4970NT4G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。凭借低导通电阻与高电流承载能力，器件在大电流开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统效率。适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效率功率转换电路，在持续高负载条件下仍能保持良好的热性能与稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTD4970NT4G-HXY

商品编号

C53263078

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)