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BSC079N03SG-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为6.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其较低的导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和发热，提升系统效率。适用于开关电源、负载开关、电池管理系统以及高频功率转换等电路，在紧凑型设计中可提供可靠的电气性能和良好的热稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC079N03SG-HXY
商品编号: C53263083
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.138克(g)

商品参数

参数完善中