IPD40N03S4L08ATMA1-HXY

IPD40N03S4L08ATMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减小导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中，能够稳定可靠地实现快速开关操作与能量转换。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD40N03S4L08ATMA1-HXY

商品编号

C53263101

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)