FDMC6296-HXY

FDMC6296-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件采用标准封装形式，便于在紧凑型电路布局中集成，同时确保在高负载条件下保持稳定工作特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDMC6296-HXY

商品编号

C53263103

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)