FDS6670S-HXY

FDS6670S-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等功率应用中表现出良好的导通特性和较低的功耗，适用于对体积和效率有一定要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路场合。其参数组合兼顾性能与成本，适合多种通用电子系统中的开关与控制功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDS6670S-HXY

商品编号

C53263120

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)