RJK03E1DNS-00#J5-HXY

RJK03E1DNS-00#J5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5mΩ。低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统能效，适用于高频率开关电源、便携式设备供电管理以及电机控制等应用场合。其电气特性支持快速开关动作，在紧凑布局中仍能维持良好的热稳定性和可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RJK03E1DNS-00#J5-HXY

商品编号

C53263125

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.076克(g)