FDD8876-HXY

FDD8876-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，在高电流开关应用中表现稳定。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景，能够有效支持频繁开关操作并维持较低温升。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDD8876-HXY

商品编号

C53263131

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)