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IRFH8325TRPBF-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至4.3毫欧。其极低的导通电阻有效减小了导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源管理、大电流开关及电机驱动等应用。器件具备良好的热稳定性和快速开关特性，适合在紧凑型、高功率密度的电子系统中使用。
- 商品型号
- IRFH8325TRPBF-HXY
- 商品编号
- C53263150
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |