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DMN3032L-7-HXY
DMN3032L-7-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在栅源驱动电压适配条件下导通电阻低至22毫欧。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于电源开关、负载控制以及便携式电子设备中的高效功率管理场景。器件在中等电流应用中表现出良好的热稳定性和开关响应特性。
- 商品型号
- DMN3032L-7-HXY
- 商品编号
- C53263159
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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