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DMT3009UFVW-7-HXY
DMT3009UFVW-7-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于中低电压应用场景中的开关与功率控制功能，例如电源转换、负载开关及便携式设备中的高效能管理模块，能够满足对热性能和能效有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- DMT3009UFVW-7-HXY
- 商品编号
- C53263175
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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