温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT3009UFVW-7-HXY
DMT3009UFVW-7-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于中低电压应用场景中的开关与功率控制功能，例如电源转换、负载开关及便携式设备中的高效能管理模块，能够满足对热性能和能效有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- DMT3009UFVW-7-HXY
- 商品编号
- C53263175
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- DMT35M4LFVW-13-HXY
- DI045N03PT-HXY
- SIRA18DP-T1-RE3-HXY
- SISA16DN-T1-GE3-HXY
- DMT35M1LFVW-13-HXY
- AON7568
- AOD32326-HXY
- DMT35M1LFVW-7-HXY
- DMN3011LFVWQ-13-HXY
- NTMFS4C028NT3G-HXY
- DMN3011LFVWQ-7-HXY
- DMT34M5LFVW-13-HXY
- DMN3010LFG-13-HXY
- DMT3009LFVW-13-HXY
- AO4708
- DMN39M1LFVW-13-HXY
- DMT35M4LPSW-13-HXY
- AON7502
- DMN39M1LFVWQ-13-HXY
- AON7788
- DMN39M1LFVWQ-7-HXY