AON7502

AON7502

描述

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）典型值为4mΩ。在高电流应用场景中，低导通电阻有助于显著降低功率损耗，提升整体效率。器件适用于电源转换、电机控制、电池管理系统及各类高效率开关电路，能够在频繁开关或持续大电流工作条件下保持稳定性能，满足对热管理和电气性能要求较高的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7502

商品编号

C53263193

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)