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AON7424

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的功率转换环节，能够稳定可靠地实现快速开关操作。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON7424
商品编号: C53263208
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07克(g)

商品参数

参数完善中