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SIS330DN-T1-GE3-HXY
SIS330DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升整体效率。适用于高效率开关电源、便携式电动设备、电池供电系统以及对热性能和空间布局有较高要求的功率电子应用中，能够实现快速开关与可靠运行。
- 商品型号
- SIS330DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263229
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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