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BSC052N03SG-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的RDS(ON)有效减小了导通损耗，在高电流工作条件下仍能保持良好的热性能。器件适用于对功率效率和紧凑布局有较高要求的电子系统，常见于电源管理、电机驱动以及高频开关等应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC052N03SG-HXY
商品编号: C53263239
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

参数完善中