STL60NH3LL-HXY

STL60NH3LL-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流开关、电源转换及电机控制等应用场合。器件结构设计支持良好的热稳定性和快速开关特性，适合在对功率密度和能效有较高要求的电子系统中使用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL60NH3LL-HXY

商品编号

C53263255

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139克(g)