STL75NH3LL-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高电流、高效率要求的电源转换与配电系统。在高频开关条件下，器件仍能保持良好的热稳定性和电气性能，适合用于对功率密度和能效有严苛要求的应用场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STL75NH3LL-HXY
商品编号: C53263268
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数