PHD82NQ03LT-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为5毫欧。其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高的效率和较低的温升。适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换系统，如服务器、通信设备及高性能计算平台中的同步整流、负载开关和DC-DC转换模块。器件在高频开关应用中亦能保持良好的动态特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PHD82NQ03LT-HXY

商品编号

C53263279

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.379克(g)