SI7748DP-T1-GE3-HXY

SI7748DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热管理要求较高的直流开关电路、电源转换模块以及大电流负载控制等场合，能够有效支持高功率密度设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7748DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263294

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.143克(g)