IRF8113GTRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的开关应用场景。其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及各类需要高效能功率控制的电子装置中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF8113GTRPBF-HXY
商品编号: C53263314
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.121克(g)

商品参数