IRF8113GTRPBF-HXY

IRF8113GTRPBF-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的开关应用场景。其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及各类需要高效能功率控制的电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRF8113GTRPBF-HXY

商品编号

C53263314

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.121克(g)