SI7860DP-T1-GE3-HXY

SI7860DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）支持50A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为6.5毫欧，栅源电压额定值为20V。其低导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足频繁开关和稳定导通的运行需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7860DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263333

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139克(g)