AON7416

AON7416

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。适用于高电流、高频率的开关应用场景，如电源管理模块、电机驱动电路及高效能计算设备中的功率调节单元。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7416

商品编号

C53263348

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)