AON7416

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。适用于高电流、高频率的开关应用场景，如电源管理模块、电机驱动电路及高效能计算设备中的功率调节单元。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON7416
商品编号: C53263348
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07克(g)

商品参数