NTMFS4983NFT3G-HXY

NTMFS4983NFT3G-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）仅为1.4毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时仍能可靠运行。其超低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适合用于高效率、大电流的电源管理、电池供电系统及各类直流开关电路中。器件在高频操作下保持良好的开关特性，适用于对热性能与电气稳定性有较高要求的应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4983NFT3G-HXY

商品编号

C53263363

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.148克(g)