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SI2372DS-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID），在标准驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。其电气特性适用于中等功率的开关应用场景，如便携式电子设备的电源管理、负载开关及同步整流等电路。较低的导通电阻有助于控制功耗与温升，同时支持较高的开关频率，适合对体积和效率有一定要求的电子系统。
- 商品型号
- SI2372DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263378
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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