SI2372DS-T1-GE3-HXY

SI2372DS-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID），在标准驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。其电气特性适用于中等功率的开关应用场景，如便携式电子设备的电源管理、负载开关及同步整流等电路。较低的导通电阻有助于控制功耗与温升，同时支持较高的开关频率，适合对体积和效率有一定要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI2372DS-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263378

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.027克(g)