NVMFS5C426NAFT1G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性

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描述: 该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，提升整体能效。适用于高电流、高频率运行的电源转换系统、电机控制电路及大功率电子设备中的开关应用，在严苛电气条件下仍能维持稳定工作特性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMFS5C426NAFT1G-HXY
商品编号: C53263397
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.16克(g)

商品参数