NVMFS5C426NWFT1G-HXY

NVMFS5C426NWFT1G-HXY

描述

该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V，最大连续漏极电流（ID）达219A，在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。如此低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路以及大功率直流转换系统等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C426NWFT1G-HXY

商品编号

C53263403

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)