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IPC100N04S5-1R2-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。器件结构优化了开关特性，在高电流负载下仍能保持稳定工作，适合用于电源管理、电机驱动及高频开关等电子系统中。
- 商品型号
- IPC100N04S5-1R2-HXY
- 商品编号
- C53263407
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.461nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.257nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |