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IPC100N04S5-1R2-HXY
IPC100N04S5-1R2-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。器件结构优化了开关特性，在高电流负载下仍能保持稳定工作，适合用于电源管理、电机驱动及高频开关等电子系统中。
- 商品型号
- IPC100N04S5-1R2-HXY
- 商品编号
- C53263407
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
参数完善中