温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPC100N04S5L-1R1-HXY

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关等应用场景。器件采用标准封装形式，便于集成于各类高效率电力电子电路中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPC100N04S5L-1R1-HXY
商品编号: C53263409
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

参数完善中