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NVMFS5C426NT1G-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A，漏源击穿电压（VDSS）为40V，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，栅源电压（VGS）额定值为20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力，该器件适用于高效率、大电流的开关电源、电池管理系统以及高频功率转换电路，在确保稳定运行的同时有效降低导通损耗与发热。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMFS5C426NT1G-HXY
商品编号: C53263406
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

参数完善中