温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5C426NT1G-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A，漏源击穿电压（VDSS）为40V，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，栅源电压（VGS）额定值为20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力，该器件适用于高效率、大电流的开关电源、电池管理系统以及高频功率转换电路，在确保稳定运行的同时有效降低导通损耗与发热。
- 商品型号
- NVMFS5C426NT1G-HXY
- 商品编号
- C53263406
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.461nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.257nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |