NVMFS5C426NAFT3G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换、电机驱动及高频率开关应用场景，能够有效提升系统整体效率并减少热损耗。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C426NAFT3G-HXY

商品编号

C53263404

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)