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NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY
N-SGT增强型模式MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。其低导通电阻与高电流处理能力使其适用于高效率电源管理、大电流开关电路以及对热性能要求严苛的功率转换系统，能够在高频操作下维持较低的功率损耗和温升。
- 商品型号
- NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY
- 商品编号
- C53263405
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.461nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.257nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- NVMFS5C426NT1G-HXY
- IPC100N04S5-1R2-HXY
- NVMFS5C430NLWFAFT1G-HXY
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- MOT65R099A
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- UL1015 10AWG RED 305M
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