IRF8721TRPBF-1-HXY

IRF8721TRPBF-1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，适用于中等功率的电源管理、负载开关及电机驱动等应用。器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性，适合对体积和热性能有一定要求的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRF8721TRPBF-1-HXY

商品编号

C53263386

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.123克(g)