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IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具有40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可支持高达219A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性，在大电流工作条件下仍能保持稳定可靠的性能表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
商品编号: C53263395
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142857克(g)

商品参数

参数完善中