AMR430N-HXY

AMR430N-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，可承载高达60A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源转换与配电系统。器件在高频开关条件下仍能维持良好的动态特性，适合用于对热管理和空间布局要求严苛的电子设备中，如服务器电源、便携式储能装置及高性能计算平台的供电模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AMR430N-HXY

商品编号

C53263394

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)