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NTMFS5C426NT1G-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V，最大连续漏极电流（ID）达219A，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧（在VGS=20V条件下）。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源管理、大电流开关以及对热性能敏感的电子系统。其电气参数表明该器件适合在高频、高负载条件下稳定运行。
- 商品型号
- NTMFS5C426NT1G-HXY
- 商品编号
- C53263396
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.461nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.257nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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- MOT65R099A
- 120*40*202cm-dz-LAIBAO
- HS-TF-D1/128G
- HIKVISION-zj
- OY10
- 24.5*35*48.5cm-4c-w
- 12cm*33cm-100#
- 30cm-304-bxgp