PCF8896W-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源转换和大电流开关场合。其电气特性支持在高频工作条件下保持稳定性能，常用于负载开关、同步整流及各类紧凑型电源模块中，满足对热管理和能效有较高要求的应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PCF8896W-HXY
商品编号: C53263392
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.123克(g)

商品参数