温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON7530
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统整体能效。器件适用于高效率开关电源、便携式设备的电源管理模块以及需要大电流处理能力的电子系统，在高频开关操作中仍能维持良好的热稳定性和电气性能。
- 商品型号
- AON7530
- 商品编号
- C53263390
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- FDMC3020DC-P-HXY
- PCF8896W-HXY
- FDS8876-F40-HXY
- AMR430N-HXY
- IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
- NTMFS5C426NT1G-HXY
- NVMFS5C426NAFT1G-HXY
- IPC100N04S51R2ATMA1-HXY
- NVMFS5C426NWFET1G-HXY
- NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
- NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY
- NTMFS5C426NT3G-HXY
- NVMFS5C426NWFT1G-HXY
- NVMFS5C426NAFT3G-HXY
- NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY
- NVMFS5C426NT1G-HXY
- IPC100N04S5-1R2-HXY
- NVMFS5C430NLWFAFT1G-HXY
- IPC100N04S5L-1R1-HXY
- FDMC3020DC-P-HXY
- PCF8896W-HXY
- FDS8876-F40-HXY
- AMR430N-HXY
- IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
- NTMFS5C426NT1G-HXY
- NVMFS5C426NAFT1G-HXY
- IPC100N04S51R2ATMA1-HXY
- NVMFS5C426NWFET1G-HXY
- NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
- NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY
- NTMFS5C426NT3G-HXY
- NVMFS5C426NWFT1G-HXY
- NVMFS5C426NAFT3G-HXY
- NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY
- NVMFS5C426NT1G-HXY
- IPC100N04S5-1R2-HXY
- NVMFS5C430NLWFAFT1G-HXY
- IPC100N04S5L-1R1-HXY
- MOT65R099A
- 120*40*202cm-dz-LAIBAO