FDMC3020DC-P-HXY

N-SGT增强型模式MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高频开关操作，在负载点转换、同步整流及高效DC-DC变换等应用中表现稳定可靠，适合需要高电流承载能力与低功耗特性的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDMC3020DC-P-HXY

商品编号

C53263391

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.076克(g)