SIS496EDNT-T1-GE3-HXY

SIS496EDNT-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于高频率开关电路及大电流负载控制等应用中，能够稳定可靠地实现高效电能转换与控制。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIS496EDNT-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263381

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)