SIS778DN-T1-GE3-HXY

SIS778DN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗，提升系统效率。适用于需要高效能开关操作的电源转换、负载开关及同步整流等电路拓扑中，能够在高频或大电流应用场景下保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIS778DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263382

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)