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SIS778DN-T1-GE3-HXY
SIS778DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗，提升系统效率。适用于需要高效能开关操作的电源转换、负载开关及同步整流等电路拓扑中，能够在高频或大电流应用场景下保持良好的热稳定性和电气性能。
- 商品型号
- SIS778DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263382
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
参数完善中
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