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SMM2348ES-T1-GE3-HXY
SMM2348ES-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗，适合用于对空间和效率有一定要求的电源管理电路。典型应用场景包括便携式设备的电源开关、电池保护电路以及低功率DC-DC转换器等，能够在确保电气性能的同时维持良好的热表现。
- 商品型号
- SMM2348ES-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263383
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
参数完善中
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