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SMM2348ES-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗，适合用于对空间和效率有一定要求的电源管理电路。典型应用场景包括便携式设备的电源开关、电池保护电路以及低功率DC-DC转换器等，能够在确保电气性能的同时维持良好的热表现。
- 商品型号
- SMM2348ES-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263383
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- SI7792DP-T1-GE3-HXY
- NVD4810NT4G-VF01-HXY
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- AMR430N-HXY
- IPC100N04S5L1R1ATMA1-HXY
- NTMFS5C426NT1G-HXY
- NVMFS5C426NAFT1G-HXY
- IPC100N04S51R2ATMA1-HXY
- NVMFS5C426NWFET1G-HXY
- NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY
- NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY
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