SMM2348ES-T1-GE3-HXY

SMM2348ES-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗，适合用于对空间和效率有一定要求的电源管理电路。典型应用场景包括便携式设备的电源开关、电池保护电路以及低功率DC-DC转换器等，能够在确保电气性能的同时维持良好的热表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SMM2348ES-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263383

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0275克(g)