SI7792DP-T1-GE3-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）高达150A，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于大电流电源管理、高效率DC-DC转换器以及对热性能和能效要求严苛的电子系统。器件支持快速开关动作，在高频工作条件下仍能保持良好性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7792DP-T1-GE3-HXY
商品编号: C53263384
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数