SI7792DP-T1-GE3-HXY

SI7792DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）高达150A，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于大电流电源管理、高效率DC-DC转换器以及对热性能和能效要求严苛的电子系统。器件支持快速开关动作，在高频工作条件下仍能保持良好性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7792DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263384

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.148克(g)