NVD4810NT4G-VF01-HXY

NVD4810NT4G-VF01-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，在保持高电流承载能力的同时，确保稳定可靠的运行表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVD4810NT4G-VF01-HXY

商品编号

C53263385

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.39克(g)