NVD4810NT4G-VF01-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，在保持高电流承载能力的同时，确保稳定可靠的运行表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVD4810NT4G-VF01-HXY
商品编号: C53263385
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.39克(g)

商品参数